位移传感器根据材质分类：霍耳位移传感器 光电位移传感器

位移传感器根据材质分类：霍耳位移传感器 光电位移传感器 >> 霍耳位移传感器 ：测量原理是保持霍耳元件(见半导体磁敏元件)的激励电流不变，并使其在一个梯度均匀的磁场中移动，则所移动的位移正比于输出的霍耳电势。磁场梯度越大，灵敏度...

　　霍耳位移传感器：测量原理是保持霍耳元件(见半导体磁敏元件)的激励电流不变，并使其在一个梯度均匀的磁场中移动，则所移动的位移正比于输出的霍耳电势。磁场梯度越大，灵敏度越高;梯度变化越均匀，霍耳电势与位移的关系越接近于线性。三种产生梯度磁场的磁系统：a系统的线性范围窄，位移Z=0时，霍耳电势≠0;b系统当Z<2毫米时具有良好的线性，Z=0时，霍耳电势=0;c系统的灵敏度高，测量范围小于1毫米。N、S分别表示正、负磁极。霍耳式位移传感器的惯性小、频响高、工作可靠、寿命长，因此常用于将各种非电量转换成位移后再进行测量的场合。

　　光电位移传感器：根据被测对象阻挡光通量的多少来测量对象的位移或几何尺寸。特点是属于非接触式测量，并可进行连续测量。光电式位移传感器常用于连续测量线材直径或在带材边缘位置控制系统中用作边缘位置传感器。